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產(chǎn)品說明:功率驅(qū)動器模塊 IGBT 三相反相器 600 V 2 A 23-DIP 模塊(0.573",14.55mm)
封裝:23-DIP 模塊產(chǎn)品說明:ARM? Cortex?-M4F FM4 S6E2HG 微控制器 IC 32-位 160MHz 288KB(288K x 8)
封裝:100-LQFP產(chǎn)品說明:CoolGaN? 集成功率級 (IPS) 半橋 600 V,可提供高密度、高效率解決方案
封裝:PG-TIQFN-28產(chǎn)品說明:CoolGaN? 600 V 增強(qiáng)型功率晶體管具有快速導(dǎo)通和關(guān)斷速度,開關(guān)損耗最小
封裝:PG-LSON-8產(chǎn)品說明:PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 64Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
封裝:24-FBGA產(chǎn)品說明:用于大功率應(yīng)用的 600 V CoolGaN? 電子模式功率晶體管,采用底部冷卻功率封裝
封裝:PG-HSOF-8產(chǎn)品說明:PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 64Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
封裝:24-FBGA產(chǎn)品說明:用于大功率應(yīng)用的 600 V CoolGaN? 電子模式功率晶體管,采用底部冷卻功率封裝
封裝:PG-DSO-20產(chǎn)品說明:PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 64Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
封裝:24-FBGA產(chǎn)品說明:功率驅(qū)動器模塊 IGBT 3 相 600 V 15 A
封裝:DIP-24產(chǎn)品說明:用于大功率應(yīng)用的 600 V CoolGaN? e 模式功率晶體管,采用頂部冷卻功率封裝
封裝:20-PowerSOIC產(chǎn)品說明:PSRAM(偽 SRAM) 存儲器 IC 64Mbit HyperBus 166 MHz 36 ns 24-FBGA(6x8)
封裝:24-FBGA產(chǎn)品說明:功率驅(qū)動器模塊 IGBT 2 相 600 V 20 A
封裝:24-PowerDIP Module產(chǎn)品說明:ARM? Cortex?-M4F FM4 MB9B360L 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 544KB(544K x 8)
封裝:48-VFQFN產(chǎn)品說明:功率驅(qū)動器模塊 IGBT 3 相 650 V 30 A
封裝:24-PowerDIP Module電話咨詢:86-755-83294757
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