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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

品牌:

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

S29GL256S10DHB023

產(chǎn)品說(shuō)明：FLASH - NOR 存儲(chǔ)器 IC 256Mb 并聯(lián) 100 ns 64-FBGA（9x9）

封裝：FBGA-64
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGW20N60H3

產(chǎn)品說(shuō)明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 600V HI SPEED SW IGBT

封裝：TO-247-3
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IR3889M

產(chǎn)品說(shuō)明：30 A 單電壓同步降壓穩(wěn)壓器

封裝：PG-IQFN-36-2
10起
2500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IR38064M

產(chǎn)品說(shuō)明：35A 單輸入電壓、同步降壓穩(wěn)壓器，帶 PMBus 接口

封裝：QFN-26
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC0901NSI

產(chǎn)品說(shuō)明：MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8

封裝：TDSON-8
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPC100N04S5-1R9

產(chǎn)品說(shuō)明：40V、N-Ch、最大 1.9 mΩ、汽車 MOSFET、PQNF、OptiMOS?-5

封裝：TDSON-8
10起
90000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW40N65H5

產(chǎn)品說(shuō)明：650 V IGBT，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-247 封裝

封裝：TO-247-3
10起
8000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKA15N60T

產(chǎn)品說(shuō)明：600 V、15 A IGBT，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-220 全封裝

封裝：PG-TO220-3
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPW60R120P7

產(chǎn)品說(shuō)明：通孔 N 通道 600 V 26A（Tc） 95W（Tc） PG-TO247-3

封裝：PG-TO247-3
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW75N65EH5

產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT 溝道 650 V 90 A 395 W 通孔 PG-TO247-3

封裝：PG-TO247-3
10起
50000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC010N04LST

產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 5 功率 MOSFET 擴(kuò)大了溫度范圍以提高堅(jiān)固性

封裝：TDSON-8
10起
26800
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IRS2110SPBF

產(chǎn)品說(shuō)明：500 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路，帶關(guān)斷功能

封裝：SOIC-16
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SPD06N80C3

產(chǎn)品說(shuō)明：800V，CoolMOS? 功率晶體管，PG-TO252-3

封裝：PG-TO252-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPA60R099P7

產(chǎn)品說(shuō)明：600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET —— N-溝道功率 MOSFET 晶體管

封裝：TO-220-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SPA11N80C3

產(chǎn)品說(shuō)明：CoolMOS N 溝道功率 MOSFET 晶體管

封裝：TO-220FP-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TT570N16KOF

產(chǎn)品說(shuō)明：1600V 900A 60mm 晶閘管模塊

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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