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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

RGE60TS65DGC13

產(chǎn)品說明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE

封裝：TO-247GE
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4062KWATL

產(chǎn)品說明：N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4045DWATL

產(chǎn)品說明：N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4045DWAHRTL

產(chǎn)品說明：汽車 N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4026DWATL

產(chǎn)品說明：N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT2H12NZGC11

產(chǎn)品說明：1700 V 3.7A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管

封裝：TO-3PFM-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3017ALGC11

產(chǎn)品說明：650V 118A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM600D12P4G103

產(chǎn)品說明：1200V, 567A, 內(nèi)置半橋溝槽MOS的全SiC功率模塊

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BM3G007MUV-LBE2

產(chǎn)品說明：Nano Cap、EcoGaN、650V 70mΩ 2MHz GaN HEMT功率級(jí)IC

封裝：VQFN-46
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3160KWATL

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 表面貼裝型 N 通道 1200 V 17A（Tj） TO-263-7LA

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3160KWAHRTL

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 表面貼裝型 N 通道 1200 V 17A（Tc） TO-263-7LA

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3060ARC15

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 39A（Tj） 165W TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3080ARC15

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 30A（Tj） 134W TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3080ALHRC11

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 650 V 30A（Tc） 134W TO-247N

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3105KRC15

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 24A（Tj） 134W TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT4062KWAHRTL

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 24A（Tc） 93W TO-263-7LA

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
共122記錄?上一頁1234...8下一頁?
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