NXH040P120MNF1PTG SiC模塊在F1模塊中包含一個(gè)40mΩ 1200V SiC MOSFET半橋和一個(gè)NTC熱敏電阻。該模塊的推薦柵極電壓為18V至20V。NXH040P120MNF1PTG在更高電壓下具有改進(jìn)的RDS(ON)，熱阻低。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)： 碳化硅（SiC）  

配置： 2 N 溝道（雙）共源  

漏源電壓（Vdss）： 1200V（1.2kV）  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：30A（Tc）  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 56 毫歐 @ 25A，20V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 4，3V @ 10mA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 122.1nC @ 20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1505pF @ 800V  

功率 - 最大值： 74W  

工作溫度： -40°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 底座安裝  

封裝/外殼： 模塊

典型應(yīng)用

太陽(yáng)能逆變器

不間斷電源

電動(dòng)汽車充電站

工業(yè)電源

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