STM32F217IGT6 器件基于高性能ARM? Cortex?-M3 32位RISC內(nèi)核，工作頻率高達120 MHz。該MCU集成了高速嵌入式存儲器(高達1MB的閃存，高達128Kb的系統(tǒng)SRAM)，高達4kb的備份SRAM，以及廣泛的增強I/O和連接到兩個APB總線，三個AHB總線和32位多AHB總線矩陣的外設(shè)。

該器件還具有自適應實時存儲器加速器(ART accelerator?)，可在高達120 MHz的CPU頻率下實現(xiàn)相當于Flash存儲器0等待狀態(tài)程序執(zhí)行的性能。這種性能已經(jīng)使用CoreMark基準測試進行了驗證。

器件提供三個12位adc，兩個dac，一個低功耗RTC, 12個通用16位定時器，包括兩個用于電機控制的PWM定時器，兩個通用32位定時器。一個真數(shù)字隨機生成器(RNG)。它們還具有標準和高級通信接口。新的先進外設(shè)包括SDIO、增強型靈活靜態(tài)存儲器控制(FSMC)接口(用于100引腳以上封裝的設(shè)備)、加密加速單元和CMOS傳感器的相機接口。這些設(shè)備還配備了標準外設(shè)。

STM32F217IGT6微控制器采用 176 引腳 LQFP 封裝，工作溫度在-40°C 至 85°C 范圍內(nèi)，它的工作電源電壓為 1.8V 至 3.6V。

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