商品名稱:STG200M65F2D8AG
數(shù)據(jù)手冊:STG200M65F2D8AG.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:D8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
STG200M65F2D8AG 汽車級650V、200A的溝槽柵極場截止器M系列低損耗IGBT芯片 采用D8封裝。
該器件是一個使用先進的專有溝槽柵極止回結(jié)構開發(fā)的IGBT。該器件是M系列IGBT的一部分,它代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,正的VCE(sat)溫度系數(shù)和嚴格的參數(shù)分布使得并聯(lián)操作更加安全。
所有功能
? 符合AEC-Q101標準
? 低損耗系列IGBT
? 低VCE(sat) = 1.55 V(典型值),IC = 200 A時
? 正的VCE(sat)溫度系數(shù)
? 嚴格的參數(shù)分布
? 最高結(jié)溫: TJ = 175 °C
? 在TJ = 150 °C時,最小短路耐受時間為6 μs
應用
? 主逆變器(電力牽引)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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