SCTW35N65G2VAG 650V 45A 汽車級(jí)碳化硅功率MOSFET采用 ST先進(jìn)的創(chuàng)新第二/第三代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。該器件具有出色的開關(guān)性能，以及極低的單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)性能指標(biāo)，從而實(shí)現(xiàn)了更高效、更緊湊的系統(tǒng)。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：45A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：67毫歐 @ 20A，20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：73 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1370 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：240W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：HiP247?

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號(hào)：SCTW35

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

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