CY62157EV18LL-55BVXI 是一款高性能的靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）。該存儲器具有 8Mb 的存儲容量，組織為 512K x 16 位，工作電壓為 1.8V，訪問時間為 55ns。它采用 48 引腳 VFBGA 封裝，適用于多種嵌入式應用。

CY62157EV18LL-55BVXI 核心特性

高性能存儲架構

存儲容量：8Mb（512K × 16），支持16位并行數(shù)據(jù)總線。

訪問時間：55ns，適用于高速數(shù)據(jù)處理。

寬電壓范圍：1.65V ~ 2.25V，兼容低功耗設計。

低功耗設計（MoBL?技術）

典型工作電流：1.8mA @ 1MHz（1.8V）。

待機電流：低至 2μA（典型值），最大限度延長電池供電設備的使用壽命。

工業(yè)級可靠性

工作溫度范圍：-40°C ~ +85°C，適用于嚴苛環(huán)境。

RoHS認證：符合環(huán)保標準。

封裝與接口

48-VFBGA（6×8mm），表面貼裝，適用于緊湊型PCB設計。

并行接口，支持 字節(jié)控制（BHE/BLE），優(yōu)化數(shù)據(jù)讀寫效率。

CY62157EV18LL-55BVXI 技術規(guī)格

存儲容量：8 Mb

組織：512K x 16 位

訪問時間：55ns

工作電壓：1.65V 至 2.25V

工作溫度：-40°C 至 +85°C

封裝類型：48 引腳 VFBGA

安裝類型：表面貼裝（SMD/SMT）

CY62157EV18LL-55BVXI  典型應用

工業(yè)自動化：PLC、運動控制、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

消費電子：智能家居、便攜式設備

通信設備：網絡交換機、路由器緩存

汽車電子：車載信息娛樂系統(tǒng)（IVI）、ADAS

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