APTM100SK33T1G是一款高壓低阻功率模塊，采用MOSFET設計，具備高耐壓、大電流輸出和低導通電阻特性，適用于高頻率電力應用。以下是其主要規(guī)格：
配置：降壓斬波器
電壓：1000V
RDSon (mR) 典型值：330 mOhm
電流Tc=80°C：17A
硅類型：MOS 8
封裝：SP1F
其性能特性如下：
Power MOS 8? MOSFETs
- 低RDSon
- 低輸入和米勒電容
- 低門電荷- 擁有毀滅性能量評級
- 非常堅固
非常低的雜散電感
內(nèi)部熱敏電阻用于溫度監(jiān)測
高集成度
APTM100SK33T1G應用范圍
主要用于AC/DC電機控制、開關電源等高功率轉(zhuǎn)換場景，具備高效率運行能力。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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PCI1005T/5CW
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PCI1004T-V/5CWVAO
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