APTM100DSK35T3G是一款專為高頻應(yīng)用設(shè)計的功率模塊，結(jié)合低導(dǎo)通電阻、低輸入/米勒電容及Kelvin源驅(qū)動等技術(shù)特性，適用于開關(guān)電源、電機(jī)控制等場景。

主要規(guī)格

配置：雙降壓斬波器

電壓：1000V

RDSon (mR) 典型值：350 mOhm

電流Tc=80°C：17A

硅類型：MOSFET

封裝：SP3F

APTM100DSK35T3G特征

低導(dǎo)通電阻?：典型值為350mΩ（@25℃），高頻運(yùn)行時具備低損耗優(yōu)勢。

Kelvin源驅(qū)動?：通過獨(dú)立源極連接設(shè)計，簡化驅(qū)動電路復(fù)雜度。

低雜散電感?：優(yōu)化高頻性能，降低電磁干擾。

內(nèi)置熱敏電阻?：實(shí)時監(jiān)測結(jié)溫，提升系統(tǒng)可靠性。

APTM100DSK35T3G典型應(yīng)用范圍

該模塊主要應(yīng)用于工業(yè)自動化控制（如電機(jī)驅(qū)動）、高頻開關(guān)電源等領(lǐng)域，其低導(dǎo)通電阻特性尤其適合高負(fù)載場景。

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